Влияние окисления на дефектообразование в легированном кремнии

Abstract

В монографии показано что, энергия, выделяющаяся при разрыве связей кремния и те механические напряжения, существующие на границе раздела, под действием которых также возможны разупорядочение поверхности полупроводника и образование дефектов в кремнии, вызывают изменения приповерхностных областей кремния. Морфология и закономерности формирования структуры приповерхностных областей кремния в системе Si-SiO2. Определены закономерности влияния параметров образованных сложных структур приповерхностной области кремния в структурах оксид кремния – кремний на параметры готовых приборов.

В монографії показано що, енергія, що виділяється при розриві зв'язків кремнію і ті механічні напруги, що існують на межі розділу, під дією яких також можливі разупорядочение поверхні напівпровідника та утворення дефектів у кремнії, викликають зміни у приповерхневих областей кремнію. Морфологія та закономірності формування структури приповерхневих областей кремнію в системі Si-SiO2. Визначено закономірності впливу параметрів утворених складних структур приповерхневої області кремнію в структурах оксид кремнію - кремній на параметри готових приладів.

The monograph shows that the energy released by breaking silicon bonds and those stresses existing at the interface , which is also under the influence of possible disordering of the semiconductor surface and the formation of defects in silicon , cause changes of surface area silicon. Morphology and structure of surface patterns forming areas of silicon in the system Si-SiO2. The regularities of the influence of parameters of complex structures formed by the surface region of the silicon structures in silicon oxide - silicon on the parameters of the finished devices.