Роль механизмов пластической деформации при формировании наноструктурированного кремния и его фотолюминесцентные свойства

Abstract

Показана роль механизмов пластической деформации в процессе получения слоёв наноструктурированного кремния. Процесс получения наноструктурированного кремния заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины выращивались слои окиси кремния различной толщины с последующим их удалением и обработкой в избирательных химических травителях (ИТ) до появления бездефектного островкового кремния, обладающего фотолюминесцентными свойствами, характерными для наноструктурированного кремния. Из анализа спектров интенсивности фотолюминесценции, полученных от области островков наноструктурированного кремния, сделан вывод о различии механизмов пластической деформации для различных толщин выращенного оксида кремния. Обсуждаются возможные механизмы смещения максимума интенсивности спектра фотолюминесценции (ФЛ) в коротковолновую область спектра при уменьшении размеров островков наноструктурированного кремния.

Показано роль механізмів пластичної деформації в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію. Процес отримання наноструктурованого кремнію полягає в тому, що на поверхні кремнієвої пластини вирощувалися шари окису кремнію різної товщини з подальшим їх видаленням і обробкою у виборчих хімічних травителях (ІТ) до появи бездефектного острівкового кремнію, що володіє фотолюминесцентными властивостями, характерними для наноструктурованого кремнію. З аналізу спектрів інтенсивності фотолюмінесценції, отриманих від області острівців наноструктурованого кремнію, зроблено висновок про відмінність механізмів пластичної деформації для різних товщин вирощеного оксиду кремнію. Обговорюються можливі механізми зсуву максимуму інтенсивності спектру фотолюмінесценції (ФЛ) у короткохвильову область спектру при зменшенні розмірів острівців наноструктурованого кремнію.

The role of the mechanisms of plastic deformation in the process of producing nanostructured silicon layers . The process of producing nanostructured silicon is that the silicon wafer surface grown silicon oxide layers with different thicknesses and their subsequent removal in the polling processing chemical etchants ( IT ) until a defect-free silicon islanding having photoluminescent properties typical of nanostructured silicon. From the analysis of the spectra of photoluminescence intensity derived from the field of nanostructured silicon islands , concluded that different mechanisms of plastic deformation for different thicknesses grown silicon oxide. Possible mechanisms of the shift of the maximum intensity of the photoluminescence spectrum (PL) to shorter wavelengths with decreasing island size nanostructured silicon.