Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/1384| Название: | Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію |
| Другие названия: | Роль пластической деформации в формировании наноструктурированного кремния. Фотолюмінісцентні свойства наноструктурированного кремния A role of plastic deformation in formation of nanostructured silicon. Photoluminescent properties of nanostructured silicon |
| Авторы: | Кулініч, О.А. Кулинич, О.А. Kulinich, O. |
| Ключевые слова: | наноструктурований кремній фотолюмінесценція хімічне виборче травлення наноструктурированный кремний фотолюминесценция химическое избирательное пищеварения nanostructured silicon photoluminescence selective chemical etching |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издательство: | Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника (м. Івано-Франківськ, Україна) |
| Библиографическое описание: | Кулініч О. А. Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію / О. А. Кулініч, В.А. Сминтина, М.А. Глауберман [та інш.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. - Т. 12, № 1.– С. 101-104. |
| Краткий осмотр (реферат): | У роботі показана роль пластичної деформації в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію. Процес отримання наноструктурованого кремнію полягає в тому, що на поверхні кремнієвої пластини вирощуються шари окислу кремнію різної товщини з подальшим їх видаленням і обробкою в хімічних травниках до появи бездефектного острівкового кремнію, що має фотолюмінісцентні властивості, притаманні нанокремнію. Приведені спектри інтенсивності фотолюмінесценції нанокремнію для різної товщини вирощеного оксиду кремнію. Обговорюються різні механізми зсуву максимуму інтенсивності спектру фотолюмінесценції в короткохвильову область спектру. В работе показана роль пластической деформации в процессе получения слоев наноструктурированного кремния. Процесс получения наноструктурированного кремния заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины выращиваются слоя окиси кремния различной толщины с последующим их удалением и обработкой в химических травниках до появления бездефектного островкового кремния, имеет фотолюмінісцентні свойства, присущие нанокремнію. Приведены спектры интенсивности фотолюминесценции нанокремнію для разной толщины выращенного оксида кремния. Обсуждаются различные механизмы сдвига максимума интенсивности спектра фотолюминесценции в коротковолновую область спектра. The paper shows the role of plastic deformation in the process of obtaining nanostructured silicon layers . The process of obtaining silicon is that the surface of a silicon wafer grown silicon oxide layers of different thicknesses and their subsequent removal and chemical treatment in etchants to the appearance of defect-free silicon islet that has a photoluminescence properties inherent nano silicon . Shown the intensity of the photoluminescence spectra nano silicon for different thicknesses grown silicon oxide. We discuss various mechanisms shift the maximum intensity of the photoluminescence spectrum of the short-wave region of the spectrum. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/1384 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра экспертизы товаров и услуг |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію.pdf | 4,89 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Этот ресурс защищен исходным авторским правом |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.