Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure

Abstract

The structure of near-surface silicon layers of Si-SiO2 has been investigated. It was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical stresses. The magnitude of mechanical stresses depends not only on parameters of silicon dioxide and silicon but on presence of initial defects in silicon. We have proposed the defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO2 structure, and it has been revealed the influence of impurities on this process.

Структура приповерхневих шарів кремнію з Si-SiO2 була досліджена. Було відзначено, складні знищенню цих шарів, викликані релаксації механічних напруг. Величина механічних напружень залежить не тільки від параметрів діоксиду кремнію і кремнію, а про наявність первинних дефектів в кремнії. Ми запропонували механізм утворення дефектів шарів приповерхневих в структурі Si-SiO2, і було виявлено вплив домішок на цей процес.

Структура приповерхностных слоев кремния из Si-SiO2 была исследована. Было отмечено, сложные уничтожению этих слоев, вызванные релаксации механических напряжений. Величина механических напряжений зависит не только от параметров диоксида кремния и кремния, а о наличии первоначальных дефектов в кремнии. Мы предложили механизм образования дефектов слоев приповерхностных в структуре Si-SiO2, и было выявлено влияние примесей на этот процесс.