Дислокаційні сітки як основа меза-структури в деформаційних методах отримання квантових точок

Abstract

В даній роботі на основі використання сучасних методів досліджень в комбінації з методами хімічного селективного травлення вивчалася структура приповерхневого шару кремнію після окислення і іонного легування яка складалась з області полікристалічного кремнію і області, що містить дислокаційні сітки. Проведений порівняльний аналіз властивостей дислокаційних сіток, що виникають при окисленні і легуванні. Показано, що дислокаційні сітки можуть служити основою для створення меза (проміжної) структури в різних деформаційних методах отримання квантових точок.

В данной работе на основе использования современных методов исследований в комбинации с методами химического селективного травления изучалась структура приповерхностного слоя кремния после окисления и ионного легирования состоявшую из области поликристаллического кремния и области, содержащая дислокационные сетки. Проведенный сравнительный анализ свойств дислокационных сеток, возникающих при окислении и легировании. Показано, что дислокационные сетки могут служить основой для создания меза (промежуточной) структуры в разных деформационных методах получения квантовых точек.

In this paper, based on the use of modern methods of research in combination with the methods of chemical selective etching was studied the structure of the surface silicon layer after oxidation and ion doping which consisted of a region of polycrystalline silicon and the region containing dislocation grid. A comparative analysis of the properties of dislocation grids, resulting in the oxidation and alloying. It is shown that the dislocation grid can serve as a basis for the creation of Mesa (intermediate) patterns in different deformation methods to obtain quantum dots.