Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2557
Назва: Роль пластической деформации в получении нанокремния
Інші назви: Роль пластичної деформації в отриманні нанокремнія
The role of plastic deformation in obtaining nanostructure silicon
Автори: Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А.
Kulinich, O.
Бібліографічний опис: Кулинич О. А. Роль пластической деформации в получении нанокремния / О. А. Кулинич, И. Яцунский, М. Глауберман // Технология конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. - № 1–2. - С. 22–24.
Дата публікації: 2011
Ключові слова: наноструктурированный кремний
пластины монокристаллического кремния
химические избирательные травители
электрохимическое травление
наноструктуровані кремній
пластини монокристалічного кремнію
хімічні виборчі травители
електрохімічне травлення
nanostructured silicon
a wafer of monocrystalline silicon
chemical electoral stain
electrochemical etching
Короткий огляд (реферат): В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO2 и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией.
В результаті високотемпературного окислення Si в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область. Підбурювання SiO2 і обробка поверхні виборчими травителями дозволяє отримувати наноструктуровані Si із заданою топологією.
In the high-temperature oxidation of Si in the surface layers formed complex of the defective area. The SiO2 etching and surface treatment of the electoral stain allows to obtain nanostructured Si with the given topology.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2557
Розташовується у зібраннях:Кафедра експертизи товарів та послуг

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Роль пластической деформации в получении нанокремния.pdf159,21 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.