Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559
Назва: Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»
Інші назви: Фотолюмінесцентного метод дослідження пластичної диформации на межі розділу «SiO2 - Si»
Photoluminescent research method of plastic deformation at the interface «SiO2 - Si»
Автори: Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А.
Kulinich, O.
Бібліографічний опис: Кулинич О. А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина и другие // Технология и конструирование в электронной аппратуре. – 2012. - № 2. – С. 47-50.
Дата публікації: 2012
Ключові слова: люминесцентная
пластическая деформация
дефекты
дислокации
напряжение
люмінесцентна
пластична деформація
дефекти
діслокаціі
напруга
fluorescent
plastic deformation
defects
dislocations
strain
Короткий огляд (реферат): Показана возможность использовнаия метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния – кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показана можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на межі «оксид кремнію - кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційним методом.
The possibility of exploitation by the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the "silicon oxide - silicon" in the process of obtaining nanostructured silicon layers deformation method.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559
Розташовується у зібраннях:Кафедра експертизи товарів та послуг



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.