Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559| Title: | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» |
| Other Titles: | Фотолюмінесцентного метод дослідження пластичної диформации на межі розділу «SiO2 - Si» Photoluminescent research method of plastic deformation at the interface «SiO2 - Si» |
| Authors: | Кулинич, О.А. Кулініч, О.А. Kulinich, O. |
| Citation: | Кулинич О. А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина и другие // Технология и конструирование в электронной аппратуре. – 2012. - № 2. – С. 47-50. |
| Issue Date: | 2012 |
| Keywords: | люминесцентная пластическая деформация дефекты дислокации напряжение люмінесцентна пластична деформація дефекти діслокаціі напруга fluorescent plastic deformation defects dislocations strain |
| Abstract: | Показана возможность использовнаия метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния – кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показана можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на межі «оксид кремнію - кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційним методом. The possibility of exploitation by the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the "silicon oxide - silicon" in the process of obtaining nanostructured silicon layers deformation method. |
| URI: | http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559 |
| Appears in Collections: | Кафедра експертизи товарів та послуг |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si».pdf | 241,31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.