Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559
Название: Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»
Другие названия: Фотолюмінесцентного метод дослідження пластичної диформации на межі розділу «SiO2 - Si»
Photoluminescent research method of plastic deformation at the interface «SiO2 - Si»
Авторы: Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А.
Kulinich, O.
Библиографическое описание: Кулинич О. А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина и другие // Технология и конструирование в электронной аппратуре. – 2012. - № 2. – С. 47-50.
Дата публикации: 2012
Ключевые слова: люминесцентная
пластическая деформация
дефекты
дислокации
напряжение
люмінесцентна
пластична деформація
дефекти
діслокаціі
напруга
fluorescent
plastic deformation
defects
dislocations
strain
Краткий осмотр (реферат): Показана возможность использовнаия метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния – кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показана можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на межі «оксид кремнію - кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційним методом.
The possibility of exploitation by the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the "silicon oxide - silicon" in the process of obtaining nanostructured silicon layers deformation method.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559
Располагается в коллекциях:Кафедра експертизи товарів та послуг



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.