Дефектообразование в кремниевых PIN – фотоприемниках

Abstract

Работа посвящена проблеме изучения проблемы дефектообразования инжекционных PIN – фотоприемниках влиянию дефектов на их параметры. Поскольку основные параметры полупроводников (время жизни, время свободного пробега и т.п.) сильно зависят от наличия дефектов, это оказывает влияние на такие параметры готовых pin-фотоприемников, как чувствительность, коэффициент усиления тока, время срабатывания, время регенерации, стабильность, избирательность, темновой ток. Показано, что влияние дефектов типа дислокаций на параметры фотоприемников, в основном, происходит вследствие изменения времени свободного пробега носителей зарядов, обусловленного существованием рассеивающих потенциальных барьеров, связанных с дефектами. Монография представляет интерес для широкого круга специалистов, работающих в области изучения проблем дефектообразования и для студентов физических факультетов.

Робота присвячена проблемі вивчення проблеми дефектоутворення інжекційних PIN - фотоприймачах впливу дефектів на їх параметри. Оскільки основні параметри напівпровідників (час життя, час вільного пробігу і т.п.) сильно залежать від наявності дефектів, це впливає на такі параметри готових pin-фотоприймачів, як чутливість, коефіцієнт посилення струму, час спрацьовування, час регенерації, стабільність, вибірковість , темновій струм. Показано, що вплив дефектів типу дислокацій на параметри фотоприймачів, в основному, відбувається внаслідок зміни часу вільного пробігу носіїв зарядів, обумовленого існуванням розсіваючих потенційних бар'єрів, пов'язаних з дефектами. Монографія представляє інтерес для широкого кола фахівців, що працюють в галузі вивчення проблем дефектоутворення і для студентів фізичних факультетів.

The work is devoted to the study of the problem of defect injection PIN - photodetectors influence of defects on their parameters. Since the main parameters of semiconductors (lifetime, the mean free time, etc.) are highly dependent on the presence of defects, it has an impact on parameters such finished pin-photodetectors as sensitivity, gain power, response time, recovery time, stability, selectivity dark current. It is shown that the effect of defects such as dislocations in the parameters of photodetectors, mainly occurs due to changes in time of free charge carriers due to the existence of scattering potential barriers associated with defects. Monograph is of interest to a wide range of professionals working in the field of study of the problems of defect formation and physics majors.