Factors influencing the yield stress of silicon

Abstract

Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon.

За допомогою сучасних методів дослідження, визначені фактори, що впливають на величину порога пластичності в напівпровідниковому кремнію. Поряд з відомими факторами, на величину порога пластичності впливають пружні напруження, що локалізовані в області знаходження структурних дефектів.

Используя современные методы исследования, определены факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога плстичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в облатси нахождения структурных дефектов.